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韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。借此，SK啟方半導體為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案。

SK啟方半導體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達40V的功率器件，并支持多種功率器件柵極輸入電壓，如3.3V、5V和18V，可應用于多種場景，例如服務器和筆記本電腦PMIC、DDR5內存PMIC、移動充電器、音頻放大器和汽車柵極驅動器等，以滿足客戶需求。此外還提供MTP（可多次編程）/OTP（一次性編程）存儲器、SRAM存儲器等選項，幫助客戶更好地進行產品設計。

SK啟方半導體的第四代0.18微米BCD工藝符合汽車質量標準AEC-Q100 Grade 1，確保集成電路(IC)能在125℃的高溫環境下穩定運行，適用于汽車功率半導體，厚IMD（金屬間介質）選項使得汽車產品設計能夠承受超過15,000V的電壓。

憑借從第三代0.18微米BCD工藝中積攢的量產經驗以及客戶的高度信任，該公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長移動設備的電池壽命、通過減少發熱實現穩定的性能，并通過提高汽車用功率半導體的能源效率來改善整體性能。

SK啟方半導體首席執行官Derek D. Lee表示："我們很高興能夠為客戶提供性能更好的全新第四代0.18微米BCD工藝。SK啟方半導體將繼續加強在功率半導體工藝技術方面的競爭力，并與客戶緊密合作，將業務拓展到未來有望實現高速增長的各種應用領域，例如AI服務器PMIC、DDR5 PMIC、汽車柵極驅動IC等。"